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中國產業信息網行業頻道

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2018年全球集成電路銷售額創歷史新高,IGBT行業規模達到58.36億美元,預計今后幾年IGBT行業市場規模增速依然保持穩定增長[圖]

2019年05月16日 13:39:32字號:T|T

    2017年第四季集成電路銷售額為1140億美元,季增5.7%、年增 22.5%。2017年全年集成電路銷售額為 4122億美元,創下空前新高,年增率為21.6%。2018年全年全球半導體產業銷售額達4688億美元,較2017增長13.73%。

2007-2018年全球半導體產業銷售額情況

資料來源:美國半導體行業協會、智研咨詢整理

    作為最大存儲芯片供應商,三星在2018年半導體市場的份額達到15.9%,連續兩年蟬聯全球第一的寶座,自1992年以來,英特爾一直占據第一名寶座,2017年三星市場份額升至第一位,替代英特爾。

2018年全球半導體廠商銷售額TOP10(單位:百萬美元)

2018年排名
廠商
2018年收入
市場產比:%
2017年收入
市場產比
2016 年收入
市場占比:%
2015年收入
1
三星電子(Sumsung Electronics)
75854
15.9
61215
14.6
40104
11.70
37852
2
英特爾(Itel)
65862
13.8
57712
13.8
54091
15.70
51690
3
SK hynix
36433
7.6
26309
6.3
14700
4.30
16374
4
Micron Technology
30641
6.4
23062
5.5
12950
3.80
13816
5
Broadcom Ltd.(formerly Avago)
16544
3.5
15490
3.7
13223
3.80
4543
6
Qualcomm
15380
3.2
17063
4.1
15415
4.50
16079
7
Texas Instruments
14767
3.1
13806
3.3
11901
3.50
11635
8
Western digital
9321
2.0
9181
2.2
4170
120.2
-
9
ST Microelectronics
9276
1.9
8031
-
-
-
-
10
NXP Semiconductors
9010
1.9
8750
-
-
-
-

資料來源:公司財報

    2018年全球功率半導體(功率器件、功率模塊、功率 IC、其他)市場銷售額從2017年的695.8億美元增長了3.12%達到717.5億美元。

2011-2018年全球功率半導體市場規模走勢

資料來源:美國半導體行業協會、智研咨詢整理

    2017年全球IGBT市場規模為52.55億美元,同比2016年增長16.5%,2018年全球IGBT市場規模在58.36億美元左右。

2010-2018年全球IGBT市場規模走勢

資料來源:Infineon、智研咨詢整理

    全球IGBT行業市場集中度高,當中2017年英飛凌三菱集團(Infineon)占全球市場份額的27.1%;三菱(Mitsubishi)市場占有率為16.4%;日本富士電機(Fuji Electric)市場占有率為10.7%,2017年全球前五大生產商占據市場總量的67.5%。

2016-2017年全球IGBT市場格局

資料來源:英飛凌年報2018、智研咨詢整理

    在下游市場需求的推動下,近年來我國國內企業在IGBT產品領域的研發投入呈明顯上升趨勢,行業整體產量從2010年的190萬只增長至2018年的1115萬只,國內市場消費量從2010年的2252萬只增長至2018年的7898萬只。

2010-2018年我國IGBT產品產銷量統計圖

資料來源:智研咨詢整理

    目前我國IGBT 優秀企業不多,南車時代、比亞迪等均主要為自己的高鐵和新能源汽車做配套,華微電子屬于國內在消費類IGBT 市場的龍頭企業,此前主要產品是第四代產品,和國際龍頭差距較大,公司非常重視也極為看好戰略性新興產業的發展給功率半導體產業帶來的廣闊空間,因此公司進一步加大新技術、新產品的研發投入,研發投入達到營業收入的6%以上,研發的重心以符合國家戰略性新興產業發展需求的第四代、第六代IGBT產品、COOLMOS產品以及TRENCH SBD等為主,力求實現高端功率半導體核心技術快速突破。目前新技術產品已陸續應用于市場,隨著公司新技術、新產品的系列化,將真正實現國內自主技術在中高端市場的規模化應用,有效加快公司的客戶、市場結構調整步伐,進而提升公司整體運營質量,實現公司經營業績的提高。

國內主要IGBT生產企業產能配置

公司
業務類型
最新進度
科達半導體
芯片制造
功率半導體封裝測試項目按計劃已于2011 年2月2 3日正式投產運營, 設計年產能為3 .1億只, 年產值3億元以上。自主研發的1200V 的IGBT成功入選2010年國家重點新產品計劃。2011年重點開發場終止技術IGB T和溝槽IGBT、汽車節能及新能源汽車專用IGBT芯片。
華微電子
芯片制造
2010年IGBT產品研發成功, 公司已經搭建起IGB T產品基礎工藝平臺, 并使產品進一步實現系列化研發成為可能。開工建設新型電力電子器件基地項目,計劃首期建設一條年產426萬片擴散片、420 萬片外延片的材料片生產線。
中環股份
芯片制造
研發出IGBT用區熔硅單晶拋光片填補了國內空白, 已成功打入國際市場; 研制出國內首類1200V溝槽型非穿通(NPT) IGBT系列產品, 可應用于家電; 開發出3 300V平面型IG BT樣品,可應用于機車與電網。
無錫鳳凰半導體
芯片制造
量產產品線已經涵蓋600V、1200V、1700 V三種系列的多種型號。建設有國內首條NPT-IGBT芯片薄片生產線, 可以測量IGBT全部靜態及動態參數。公司擁有芯片生產線及與生產配套的可靠性實驗室、器件測試實驗室、失效分析實驗室等。
比亞迪
芯片制造
順利組裝成IG BT模塊, 并成功在電動汽車臺架上進行了測試; 可供貨1200V系列。電動汽車用大功率IGBT 模塊產業化項目列入國家新型電力電子器件產業化專項。
上海貝嶺
芯片制造
完成了1200V和600V IGBT的設計、試制和測試及評估工作。獲得2010年度發改委《1200V-1700V溝槽結構NPT型IGBT開發及產業化》項目800萬元資金支持。
長電先進封裝公司
IGBT 單管封裝
長電科技子公司、中外合資性質。
西安愛帕克
模塊
合資公司, 外方提供IGBT芯片。2010年推出1700V 100A-300A 快恢復模塊, 用于滿足輕軌,風電等需求。
威海星佳電子
模塊
公司IGBT 產品納入威海市十二五新型元器件發展規劃。
中國南車
芯片
年產12萬片IGBT芯片和100萬只大功率IGBT器件
嘉興斯達半導體
IGBT器件
年產能近300萬只

資料來源:智研咨詢整理

    目前中國 IGBT 行業中高端技術已有突破,初步形成從芯片設計到芯片封裝的產業鏈,較強的成本優勢將是中國本土企業與國外公司競爭的有力手段。伴隨著未來幾年 IGBT 市場的高速增長,國產化進程的啟動將會使產業鏈覆蓋的公司受惠。

    我國IGBT行業發展至今,已取得較大進展,雖然仍需大量進口,但已有一部分企業具備規模化生產能力。2010年我國IGBT功率電器模塊產量為190萬只,2018年增長至1115萬只。

2010-2018年中國IGBT行業產量

資料來源:智研咨詢整理

    智研咨詢發布的《2019-2025年中國IGBT行業市場深度監測及投資機會研究報告》內容顯示,在新能源、節能環保“十二五”規劃等一系列國家政策措施的支持下,國內IGBT的發展獲得巨大的推動力,市場持續快速增長。“十三五“期間,國內IGBT國產化加速,IGBT需求迅猛發展,到2018年,國內IGBT市場規模達161.9億元。近幾年我國IGBT市場規模情況如下圖所示:

2010-2018年我國IGBT市場規模情況

資料來源:智研咨詢整理 

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